S01600 - SEMI S16 - 半導體製造設備壽命終了階段減少環境衝擊的設計基準 Revision:SEMI S16-0307 - Superseded outside of a data collection

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This Document defines various aspects of the edges of a flat panel display substrate and describes their relationships

CMOS集積回路の継続的な縮小により，ムーアの法則による予測や，国際半導体技術ロードマップ（International Technology Roadmap for Semiconductors）の予測を達成するためには，新規材料やリソグラフィ技術の革新が必要な所まできている。ゲート絶縁膜膜厚が1nmに近づくに伴い，一般的に使われてきたゲート絶縁膜とゲート電極の材料（SiO2　とドープされたポリシリコン）の特性では，今後のノードに対応できない。従来のCMOSに使われているn+ や p+　ポリシリコンゲート電極に替わる材料を探すため，代替材料候補の有効仕事関数を実験により算出することが新たに注目を集めている。

メッセージ送受信サービスには，メッセージが交換されることを明示し，そのメッセージに含まれているデータの定義を示す。メッセージの構造に関する情報，メッセージ内でデータをどのように表現するか，あるいはメッセージをどのように交換するか，ということは含まれていない。この追加情報はメッセージプロトコルに入っている。定義されたサービスは複数のプロトコルに適用することができる。このサービスを特別なプロトコル（例えばSECS-II）にマッピングすることについての情報は，付属スタンダードに追記されている。

S01600 - SEMI S16 - 半導體製造設備壽命終了階段減少環境衝擊的設計基準 Revision:SEMI S16-0307 - Superseded outside of a data collection2006112120072www. semi. org320006 2007 SME SME SME Referenced SEMI Standards SEMI S2 Environmental, Health, and Safety Guideline for Semiconductor Manufacturing Equipment SEMI S12 Guidelines for Equipment Decontamination SEMI S13 Environmental, Health and Safety Guideline for Documents Provided to the Equipment User for Use with Semiconductor Manufacturing Equipment